PETUNJUK PRAKTIKUM TRANSISTOR

TRANSISTOR


3.1 Karakteristik Input

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor.

Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat.

3.2 Percobaan Karakteristik Input

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus basis Ib sebagai fungsi Vbe (karakteristik input transistor).

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :

  • Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN kemudian rangkailah seperti pada Gambar 3.1 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.1 Rangkaian percobaan karakteristik input transistor NPN

  • Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe pada layar oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.2.


Gambar 3.2 Grafik Ib fungsi Vbe pada transistor NPN

  • Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter-basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.
  • Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat.
  • Setelah mengetahui karakteristik input transistor NPN, sekarang gunakan transistor PNP dan rangkailah seperti pada Gambar 3.3 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.3 Rangkaian percobaan karakteristik input transistor PNP

  • Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe yang serupa dengan grafik transistor NPN tetapi arahnya berlawanan.

3.3 Karakteristik Output

Sebuah transistor memiliki empat daerah operasi yang berbeda yaitu daerah aktif, daerah saturasi, daerah cutoff, dan daerah breakdown. Jika transistor digunakan sebagai penguat, transistor bekerja pada daerah aktif. Jika transistor digunakan pada rangkaian digital, transistor biasanya beroperasi pada daerah saturasi dan cutoff. Daerah breakdown biasanya dihindari karena resiko transistor menjadi hancur terlalu besar.

3.4 Percobaan Karakteristik Output

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus kolektor Ic sebagai fungsi Vce (karakteristik output)

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :

  • Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN dan rangkailah seperti pada Gambar 3.4 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.4 Rangkaian percobaan karakteristik output transistor NPN

  • Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ic fungsi Vce pada layar oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.5.


Gambar 3.5 Grafik Ic fungsi Vce pada transistor NPN

  • Grafik diatas memiliki daerah yang berbeda dimana kerja transistor berubah. Pertama, terdapat bagian naik diawal kurva. Bagian miring kurva ini disebut dengan daerah saturasi. Pada daerah ini, dioda kolektor tidak memiliki tegangan positif yang cukup untuk mengumpulkan semua elektron bebas yang diinjeksikan ke basis. Pada daerah ini, arus basis Ib lebih besar daripada normalnya dan gain arus �dc lebih kecil daripada normalnya.
  • Kedua, ada daerah ditengah dimana daerah ini merupakan daerah kerja normal transistor. Pada daerah ini, dioda emitter terbiasmajukan dan dioda kolektor terbiasbalikkan. Lebih lanjut, kolektor mengumpulkan hampir semua elektron yang dikirimkan emitter ke basis. Inilah mengapa perubahan pada tegangan kolektor tidak berpengaruh pada arus kolektor. Daerah ini disebut sebagai daerah aktif. Secara grafis, daerah aktif adalah bagian horizontal dari kurva. Dengan katalain, arus kolektor konstan pada daerah ini.
  • Ada juga daerah operasi lain yang disebut sebagai daerah breakdown. Transistor tidak boleh beroperasi pada daerah ini karena akan rusak. Tidak seperti dioda zener yang teroptimasisasi pada operasi breakdown, transistor tidak dimaksudkan untuk bekerja di daerah breakdown.
  • Setelah mengetahui karakteristik output transistor NPN, sekarang gunakan transistor PNP dan rangkailah seperti pada Gambar 3.6 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.6 Rangkaian percobaan karakteristik output transistor PNP

  • Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ic fungsi Vce yang serupa dengan grafik transistor NPN tetapi arahnya berlawanan.

3.5 Karakteristik Transfer Transistor (�)

Parameter � dari transistor merupakan perolehan arus maksimum yang dapat diperoleh kalau transistor bekerja dalam ragam umum emitter (CE). Beta dc (disimbolkan �dc) sebuah transistor didefinisikan sebagai rasio arus kolektor dc dengan arus basis dc. Beta dc juga dikenal sebagai gain arus karena arus basis yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor yang jauh lebih besar.

3.6 Percobaan Karakteristik Transfer Transistor

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus kolektor Ic sebagai fungsi Ib (karakteristik transfer transistor).

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :

  • Langkah pertama yaitu merangkai rangkaian seperti pada Gambar 3.7 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.7 Rangakaian karakteristik transfer transistor

  • Saat sumber tegangan di berikan pada rangkaian tersebut kondisi transistor pada saat itu belum aktif, hal ini disebabkan transistor belum terpicu.
  • Setelah diberi sumber tegangan, untuk mengaktifkan transistor dilakukan pemicuan dengan mengatur potensiometer sampai didapatkan arus Ic.
  • Kemudian ukurlah arus Ic dengan mengubah-ubah arus basisnya (Ib). Arus Ib diubah-ubah dengan potensiometer.

3.7 Transistor sebagai saklar

Bias basis berguna didalam rangkaian-rangkaian digital karena rangkaian tersebut biasanya dirancang untuk beroperasi didaerah jenuh dan cutoff. Oleh sebab itu, mereka memiliki tegangan keluaran rendah ataupun tegangan keluran tinggi. Rangkaian digital sering dinamakan rangkaian saklar karena titik Q berubah diantara dua titik pada garis beban yaitu daerah jenuh dan cutoff.

3.8 Percobaan Transistor sebagai saklar

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengaplikasikan transistor sebagai saklar.

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai berikut :

  • Langkah pertama yaitu merangkai rangkaian seperti pada Gambar 3.8 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.


Gambar 3.8 Rangkaian percobaan transistor sebagai saklar

  • Saat sumber tegangan di berikan pada rangkaian tersebut kondisi transistor pada saat itu belum aktif, hal ini disebabkan transistor belum terpicu. Transistor belum terpicu karena saklar off sehingga tidak ada arus yang mengalir (transistor dalam keadaan cut off).
  • Untuk mengaktifkan transistor, dilakukan pemicuan dengan menggunakan saklar sehingga lampu akan menyala. Pada saat saklar on maka akan ada arus yang mengalir ke basis yang kemudian akan dikuatkan oleh transistor sehingga dapat menyalakan lampu.

Sumber :
http://elka.ub.ac.id/praktikum/de/de.php?page=3

Topik Terhangat :

  • praktikum transistor sebagai saklar elektronik

Leave a Reply

%d bloggers like this: